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J-GLOBAL ID：202303015588455966

結晶成長方法および装置

Inventor： 吉川 彰 ,  鎌田 圭 ,  庄子 育宏 ,  ウラジミール カチューリヒン ,  高橋 勲 ,  富田 健稔 ,  リウドミラ グシチナ
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学 ,  株式会社C&A
Agent (1)： 山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022026576
Publication number (International publication number)：2023122837
Application date： Feb. 24, 2022
Publication date： Sep. 05, 2023
Summary：

【課題】固体の原料からなる原料体の周囲を冷却しながら原料体の中央部を誘導加熱により加熱することで形成する結晶成長のための融液の領域を、より大きくする。 【解決手段】第2工程S102で、原料体の一端側(上面)の中央部の融液に種結晶を接触させる。第3工程S103で、原料体の周囲を冷却しながら、誘導加熱による加熱する箇所を、原料体の一端側から他端側へ移動させ、原料体の中央部の原料が溶解する箇所を、原料体の一端側から他端側へ移動させる。誘導加熱による原料体の中央部の加熱は、誘導加熱の周波数を融液の共振周波数からずれた範囲として実施することで、原料体の一端側から他端側への方向に対して垂直な面内で、原料体の中心部ほど温度が低い状態とする。 【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

固体の原料からなる原料体を高周波誘導加熱により溶解した溶融体を用いた結晶成長方法であって、 高周波誘導加熱の周波数を前記溶融体の共振周波数および共振周波数からずれた範囲として前記原料体の溶解を実施する ことを特徴とする結晶成長方法。

IPC (2)：

C30B 13/20 ,  C30B 29/22

FI (2)：

C30B13/20 ,  C30B29/22 A

F-Term (13)：

4G077BC01 ,  4G077CE03 ,  4G077CE04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA07 ,  4G077ED01 ,  4G077EG12 ,  4G077EG20 ,  4G077EH04 ,  4G077EH06 ,  4G077EH10 ,  4G077ND02 ,  4G077ND07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭63-252993号公報
  
• 酸化ガリウム単結晶育成用ルツボおよび酸化ガリウム単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-186988   Applicant：株式会社SUMCO