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J-GLOBAL ID：202303015856679929

縦型バイポーラトランジスタおよびその製造方法

Inventor： 大森 雅登 ,  大川 峰司 ,  喜田 弘文
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 大分大学 ,  株式会社ミライズテクノロジーズ ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー
Agent (1)： 弁理士法人 快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022037878
Publication number (International publication number)：2023132513
Application date： Mar. 11, 2022
Publication date： Sep. 22, 2023
Summary：

【課題】GaNの縦型バイポーラトランジスタを提供する。 【解決手段】縦型バイポーラトランジスタは、n型の第1GaN層と、第1GaN層の上面に配置されているp型の第2GaN層と、第2GaN層の上面に配置されているn型の第3GaN層と、第3GaN層の上面に配置されているp型の第4GaN層と、を備える。縦型バイポーラトランジスタは、第1GaN層の下方側に配置されている第1電極と、第3GaN層の上面に配置されている第2電極と、第4GaN層の上面に配置されている第3電極と、を備える。第2電極と第3電極との間に電圧を印加することによって、第3GaN層と第4GaN層との界面を発光させることが可能に構成されている。界面が発光することに応じて、第1電極と第2電極との間に電流経路を形成することが可能に構成されている。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

n型の第1GaN層と、 前記第1GaN層の上面に配置されているp型の第2GaN層と、 前記第2GaN層の上面に配置されているn型の第3GaN層と、 前記第3GaN層の上面に配置されているp型の第4GaN層と、 前記第1GaN層の下方側に配置されている第1電極と、 前記第3GaN層の上面に配置されている第2電極と、 前記第4GaN層の上面に配置されている第3電極と、 を備える縦型バイポーラトランジスタであって、 前記第2電極と前記第3電極との間に電圧を印加することによって、前記第3GaN層と前記第4GaN層との界面を発光させることが可能に構成されており、 前記界面が発光することに応じて、前記第1電極と前記第2電極との間に電流経路を形成することが可能に構成されている、縦型バイポーラトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 33/14 ,  H01L 33/32

FI (2)：

H01L33/14 ,  H01L33/32

F-Term (9)：

5F241AA21 ,  5F241CA04 ,  5F241CA12 ,  5F241CA22 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65 ,  5F241CA74 ,  5F241CB11 ,  5F241CB32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許第4465890号明細書