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J-GLOBAL ID：202303015874935630

基体および基体の製造方法

Inventor： 西中 浩之 ,  加藤 貴大 ,  島添 和樹
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都工芸繊維大学
Agent (3)： 木村 満 ,  森川 泰司 ,  龍竹 史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022084916
Publication number (International publication number)：2023172996
Application date： May. 25, 2022
Publication date： Dec. 07, 2023
Summary：

【課題】高い性能と信頼性を有する半導体装置を実現することができる基体および基体の製造方法を提供する。 【解決手段】基体は、YSZ基板である基板1と、基板1上に、ビックスバイト型結晶構造を有するβ-Fe 2 O 3 結晶から形成された第1酸化物層2と、第1酸化物層2上に、ビックスバイト型結晶構造を有するδ-Ga 2 O 3 結晶から形成された第2酸化物層3と、を備える。第1酸化物層2の厚さは、2.5nm以上且つ590.2nm以下である。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

立方晶系の結晶構造を有する基板と、 前記基板の上方に位置し、ビックスバイト型結晶構造を有する第1酸化物結晶から形成された第1酸化物層と、 前記第1酸化物層上に、ガリウムを含み且つビックスバイト型結晶構造を有する第2酸化物結晶から形成された第2酸化物層と、を備える、 基体。

IPC (5)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/368

FI (5)：

C30B29/16 ,  C30B25/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 Z

F-Term (57)：

4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BB05 ,  4G077BB10 ,  4G077DB11 ,  4G077DB15 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  4G077TH01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA07 ,  4K030BA08 ,  4K030BA42 ,  4K030BA59 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA61 ,  5F045DP07 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF02 ,  5F053GG02 ,  5F053GG10 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置および結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-218891   Applicant：ROCA株式会社