半導体装置および結晶

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)： SK特許業務法人 , 奥野彰彦 , 伊藤寛之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012218891
Publication number (International publication number)：2014072463
Application date： Sep. 28, 2012
Publication date： Apr. 21, 2014
Summary：

【課題】良質なコランダム型結晶膜を形成する半導体装置を提供する。【解決手段】本発明によれば、コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置が提供される。コランダム型の結晶構造を持つ材料のなかには酸化膜が多く含まれ、絶縁膜としての機能を果たすことができることのみならず、下地基板、半導体層および絶縁膜がすべてコランダム型の結晶構造を有していることにより下地基板上に良質な半導体層、絶縁膜を実現することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/316 , H01L 21/365 , H01L 21/31 , H01L 27/12 , H01L 21/02 , C23C 16/40

FI (7)：

H01L21/316 X , H01L21/365 , H01L21/31 B , H01L27/12 B , H01L27/12 S , H01L27/12 E , C23C16/40

F-Term (38)：

4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030BA05 , 4K030BA06 , 4K030BA07 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA16 , 4K030BA18 , 4K030BA19 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA46 , 4K030BB01 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030LA02 , 5F045AB31 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045DP04 , 5F045EK06 , 5F058BA04 , 5F058BB01 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BF22 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-252457 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-199019 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-148508 Applicant：クリーインコーポレイテッド

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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