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J-GLOBAL ID：202303017524036300

基材の加工方法

Inventor： 柴田 章広 ,  伊藤 佑介 ,  魏 超然 ,  吉▲崎▼ れいな ,  杉田 直彦 ,  長藤 圭介
Applicant, Patent owner： AGC株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
Agent (2)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2020029819
Publication number (International publication number)：2021134103
Patent number：7302824
Application date： Feb. 25, 2020
Publication date： Sep. 13, 2021
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基材の加工方法であって、 前記基材の表面に第1のレーザを照射し、 第2のレーザを前記表面に照射し、前記表面に沿って走査し、 前記第2のレーザの照射は、(a)前記第1のレーザの照射前、(b)前記第1のレーザの照射と同時、または(c)前記第1のレーザの照射後のいずれかのタイミングで開始され、 前記(a)の場合、前記第2のレーザの走査は、前記第1のレーザの照射完了後も継続され、 前記第1のレーザは、短パルスレーザであり、前記表面に、加工起点となる光吸収性の領域を形成し、 前記第2のレーザは、前記基材に対して透明な波長を有する連続波レーザであり、前記加工起点となる位置を含むように照射または走査され、前記第2のレーザの走査により、前記加工起点にある前記光吸収性の領域が前記第2のレーザの走査方向に移動される、加工方法。

IPC (2)：

C03B 33/09 ( 200 6.01) ,  B23K 26/53 ( 201 4.01)

FI (2)：

C03B 33/09 ,  B23K 26/53

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄型のガラス層を切断する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2018-506844   Applicant：サン-ゴバングラスフランス