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J-GLOBAL ID:201803010743396953
薄型のガラス層を切断する方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, 森田 拓
, 前川 純一
, 二宮 浩康
, 上島 類
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2018506844
Publication number (International publication number):2018525309
Application date: Aug. 10, 2016
Publication date: Sep. 06, 2018
Summary:
本発明は、第1の表面(I)と第2の表面(II)とを有したガラス層(1)を切断する方法であって、少なくとも、a)パルスレーザーにより生成される第1のレーザービーム(2)を切断線(L)に沿って動かし、このときに前記第1の表面(I)と前記第2の表面(II)との間の前記ガラス層(1)の内部に材料改質(5)を生じさせるステップと、b)第2のレーザービーム(3)を前記切断線(L)に沿って動かし、このときに前記ガラス層(1)をレーザー照射によって加熱するステップと、c)前記ガラス層(1)を前記切断線(L)に沿って冷却し、このときに前記ガラス層(1)を前記切断線(L)に沿って破断するステップと、を有する、ガラス層(1)を切断する方法に関する。
Claim (excerpt):
第1の表面(I)と第2の表面(II)とを有したガラス層(1)を切断する方法であって、少なくとも、
a)パルスレーザーにより生成される第1のレーザービーム(2)を切断線(L)に沿って動かし、このときに前記第1の表面(I)と前記第2の表面(II)との間の、前記ガラス層(1)の内部に材料改質(5)を生じさせるステップと、
b)第2のレーザービーム(3)を前記切断線(L)に沿って動かし、前記ガラス層(1)をレーザー照射によって加熱するステップと、
c)前記ガラス層(1)を前記切断線(L)に沿って冷却し、前記ガラス層(1)を前記切断線(L)に沿って破断するステップと、
を有する、ガラス層(1)を切断する方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (15):
4E168AE02
, 4E168CB03
, 4E168DA02
, 4E168DA03
, 4E168DA04
, 4E168DA46
, 4E168DA47
, 4E168DA54
, 4E168EA17
, 4E168JA14
, 4E168JB02
, 4G015FA06
, 4G015FB02
, 4G015FC02
, 4G015FC14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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レーザー切断装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-328641
Applicant:沛きん半導体工業股ふん有限公司
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超高速レーザーパルスのバーストを使用して脆弱な材料基板から閉形状を取り除く方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2014-230987
Applicant:ロフィン-ジナールテクノロジーズインコーポレイテッド
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レーザによるガラス加工方法ならびに装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-220922
Applicant:サイバーレーザー株式会社
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超短パルスレーザービームを利用した基板切断装置及びその切断方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-240447
Applicant:アイシーユーリサーチアンドインダストリアルコーオペレーショングループ, サイバーレーザー株式会社
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Cited by examiner (4)