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J-GLOBAL ID：202303018548806854

固体半導体イオンセンサー

Inventor： 茅根 創 ,  辺見 彰秀
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学
Agent (2)： めぶき弁理士法人 ,  長谷川 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021144727
Publication number (International publication number)：2023037900
Application date： Sep. 06, 2021
Publication date： Mar. 16, 2023
Summary：

【課題】 試料溶液と電極との反応による参照電極の劣化および参照電極の内部液の交換を不要とし、かつ長期使用にも優れた安定性を発揮する固体半導体イオンセンサーを提供する。 【解決手段】 本発明は、試料溶液中の特定イオンのイオン濃度を測定可能な固体半導体イオンセンサー1であって、特定イオンに感応するイオン感応膜12と、ゲート領域13Gを有し、イオン感応膜12に近づく電荷を伝導可能な絶縁膜15によりゲート領域13Gの表面が被覆された電界効果トランジスタ13と、試料溶液80と導通可能な膜であって、ゲート電位を検出可能なゲート電位検出膜20と、を備え、ゲート電位検出膜20は、炭素材料からなるシート部材22を備えることを特徴とする固体半導体イオンセンサー1に関する。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

試料溶液中の特定イオンのイオン濃度を測定可能な固体半導体イオンセンサーであって、 前記特定イオンに感応するイオン感応膜と、 ゲート領域を有し、前記イオン感応膜に近づく電荷を伝導可能な絶縁膜により前記ゲート領域の表面が被覆された電界効果トランジスタと、 前記試料溶液と導通可能な膜であって、ゲート電位を検出可能なゲート電位検出膜と、 を備え、 前記ゲート電位検出膜は、炭素材料からなるシート部材を備えることを特徴とする固体半導体イオンセンサー。

IPC (2)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/416

FI (2)：

G01N27/414 301E ,  G01N27/416 353Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• イオン濃度センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035871   Applicant：三菱電線工業株式会社