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J-GLOBAL ID：202303019946669294

磁気記憶装置

Inventor： 山本 竜也 ,  野崎 隆行 ,  湯浅 新治
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (3)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019007726
Publication number (International publication number)：2020119617
Patent number：7246071
Application date： Jan. 21, 2019
Publication date： Aug. 06, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】 第1磁性層及び誘電層を含む積層体と、 前記積層体と電気的に接続され、前記誘電層を介して前記第1磁性層に高周波を重畳させたパルス電圧を印加する制御部と、 を備え、 前記高周波が重畳された前記パルス電圧の極性は、正極又は負極のいずれかであり、 前記高周波の周波数は、書き込み動作時における前記第1磁性層の磁気共鳴周波数の1.94倍以上2.35倍以下であることを特徴とする、磁気記憶装置。

IPC (4)：

G11C 11/16 ( 200 6.01) ,  G11C 11/15 ( 200 6.01) ,  H10B 61/00 ( 202 3.01) ,  H10N 50/10 ( 202 3.01)

FI (5)：

G11C 11/16 240 ,  G11C 11/16 100 Z ,  G11C 11/15 ,  H10B 61/00 ,  H10N 50/10 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁性体の磁化反転方法、メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-264865   Applicant：ソニー株式会社
• 電界強磁性共鳴励起方法及びそれを用いた磁気機能素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-181654   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所