電界強磁性共鳴励起方法及びそれを用いた磁気機能素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011181654
Publication number (International publication number)：2013045840
Application date： Aug. 23, 2011
Publication date： Mar. 04, 2013
Summary：

【課題】電界を駆動力とする低消費電力な電界駆動型強磁性共鳴励起方法を実現し、この方法を用いたスピン波信号生成素子、スピン流信号生成素子、及びこれらを用いた論理素子、また、この方法を用いた高周波検波素子及び磁気記録装置等の磁気機能素子を提供する。【解決手段】伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層2と、磁気異方性制御層1とを直接積層し、超薄膜強磁性層側に絶縁障壁層3及び電極層4を順に配置した積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する。そして、磁気異方性制御層と電極層との間に、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加することにより、効率的に超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記超薄膜強磁性層側に絶縁障壁層及び電極層を順に配置した積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加した上で、前記磁気異方性制御層と前記電極層との間に、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加することにより、前記超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起することを特徴とする電界駆動型強磁性共鳴励起方法。

IPC (1)：

H01L 29/82

FI (1)：

H01L29/82 Z

F-Term (11)：

5F092AA05 , 5F092AB10 , 5F092AC21 , 5F092AC25 , 5F092AD23 , 5F092BD03 , 5F092BD05 , 5F092BD06 , 5F092BD13 , 5F092BD14 , 5F092BE27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

磁気抵抗素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-004787 Applicant：株式会社日立製作所, ユニヴェルシテ・パリ・シュド・オーンズ, サントルナショナルドゥラルシェルシュシアンティフィック
磁性膜を用いた信号処理デバイスおよび信号処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-050543 Applicant：株式会社東芝
スピントロニクスデバイス及び情報伝達方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-148556 Applicant：学校法人慶應義塾

Show all

Return to Previous Page