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J-GLOBAL ID：202303020534306845

熱電変換材料及びその製造方法、熱電変換素子、並びに熱電変換モジュール

Inventor： 今里 和樹 ,  太田 道広 ,  ザウアーシュニッヒ フィリップ ,  石田 敬雄 ,  山本 淳
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (2)： 芝 哲央 ,  岩池 満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022075176
Publication number (International publication number)：2023163934
Application date： Apr. 28, 2022
Publication date： Nov. 10, 2023
Summary：

【課題】熱伝導率が低く、室温から500°Cの温度範囲において優れた熱電効果を示すとともに、半導体特性をP型及びN型のいずれにも調整可能なハーフホイスラー型化合物を主成分とする新規な熱電変換材料及びその製造方法を提供すること。また、この熱電変換材料を含む熱電変換素子や熱電変換モジュールを提供すること。 【解決手段】マグネシウム(Mg)、バナジウム(V)、ニッケル(Ni)、及びアンチモン(Sb)を少なくとも含み、一般式:Mg 2-p V 1+p Ni 3 Sb 3-q M q (但し、pとqは、-0.5≦p≦0.5及び0≦q≦1.0を満足し、Mはスズ(Sn)及びテルル(Te)の一方又は両方)で表される組成を有し、ハーフホイスラー型化合物を主成分とする、熱電変換材料。 【選択図】図17

Claim (excerpt)：

マグネシウム(Mg)、バナジウム(V)、ニッケル(Ni)、及びアンチモン(Sb)を少なくとも含み、一般式:Mg 2-p V 1+p Ni 3 Sb 3-q M q (但し、pとqは、-0.5≦p≦0.5及び0≦q≦1.0を満足し、Mはスズ(Sn)及びテルル(Te)の一方又は両方)で表される組成を有し、 ハーフホイスラー型化合物を主成分とする、熱電変換材料。

IPC (3)：

H10N 10/852 ,  H10N 10/01 ,  C01B 19/00

FI (3)：

H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  C01B19/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ハーフホイスラー熱電材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-231347   Applicant：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人東京工業大学