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J-GLOBAL ID：202303020892883374

高密度金属ナノ粒子改質BDD電極及びその製造方法、並びそれを用いたヒ素の検知方法及び検知装置

Inventor： 竹村 謙信 ,  岩崎 渉 ,  森田 伸友 ,  大曲 新矢
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (3)： 西澤 和純 ,  大槻 真紀子 ,  大浪 一徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022022445
Publication number (International publication number)：2023119502
Application date： Feb. 16, 2022
Publication date： Aug. 28, 2023
Summary：

【課題】本発明は、特定の高電圧印加によって、BDD電極基板上に沈着する金属ナノ粒子の密度及び粒子径を高度に制御することが可能な、高密度金属ナノ粒子改質BDD電極及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の高密度金属ナノ粒子改質BDD電極は、金属ナノ粒子を用いて、ホウ素ドープダイヤモンド(BDD)電極の表面を改質してなる。前記金属ナノ粒子は、粒子径10nm以上100nm未満の粒子が90/μm 2 以上の密度で分散ししていることを特徴とする、高密度金属ナノ粒子改質BDD電極。 【選択図】なし

Claim (excerpt)：

金属ナノ粒子を用いて、ホウ素ドープダイヤモンド(BDD)電極の表面を改質してなる、高密度金属ナノ粒子改質BDD電極であって、 前記金属ナノ粒子の金属が、金、白金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムからなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、 前記金属ナノ粒子は、粒子径10nm以上100nm未満の粒子が90個/μm 2 以上の密度で分散していることを特徴とする、高密度金属ナノ粒子改質BDD電極。

IPC (2)：

G01N 27/30 ,  G01N 21/65

FI (2)：

G01N27/30 B ,  G01N21/65

F-Term (7)：

2G043AA01 ,  2G043BA16 ,  2G043BA17 ,  2G043EA03 ,  2G043FA06 ,  2G043KA09 ,  2G043LA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• ホウ素ドープダイヤモンド
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2011-526549   Applicant：ザユニバーシティオブワーウィック
• 電気化学検出方法および検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-132480   Applicant：日本電信電話株式会社
• ホウ素ドープ導電性ダイヤモンド電極を用いた電気化学的分析方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-054284   Applicant：学校法人慶應義塾