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J-GLOBAL ID：202403013923332470

合成ダイヤモンドの製造方法およびセンサ素子

Inventor： 水落 憲和 ,  川島 宏幸 ,  川瀬 凛久
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学
Agent (1)： 弁理士法人三枝国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2023010113
Publication number (International publication number)：2024106047
Application date： Jan. 26, 2023
Publication date： Aug. 07, 2024
Summary：

【課題】合成ダイヤモンドに混入する不純物を抑制する。 【解決手段】化学気相堆積法により合成ダイヤモンドを製造する方法であって、反応容器内に原料ガスを導入する導入ステップと、原料ガスを化学的に活性化する活性化ステップと、を含み、活性化ステップを行う間の反応容器内の圧力は、15kPa以上大気圧以下である。 【選択図】図7

Claim (excerpt)：

化学気相堆積法により合成ダイヤモンドを製造する方法であって、 反応容器内に原料ガスを導入する導入ステップと、 前記原料ガスを化学的に活性化する活性化ステップと、 を含み、 前記活性化ステップを行う間の前記反応容器内の圧力は、15kPa以上大気圧以下である、合成ダイヤモンドの製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/27

FI (2)：

C30B29/04 E ,  C23C16/27

F-Term (13)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077HA20 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030FA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• プラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-038223   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所