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J-GLOBAL ID：200903047278600418

プラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法

Inventor： 山田 英明 ,  茶谷原 昭義 ,  杢野 由明 ,  鹿田 真一
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008038223
Publication number (International publication number)：2009196832
Application date： Feb. 20, 2008
Publication date： Sep. 03, 2009
Summary：

【課題】80torr程度を超えるような高圧下におけるプラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造においても、基板温度の上昇を抑制して、良質な単結晶ダイヤモンドを速い成長速度で合成することを可能とする。【解決手段】合成室内の圧力を80torr以上とするプラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法において、ヘリウムガスを添加した原料ガスを用いることを特徴とする方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

合成室内の圧力を80torr以上とするプラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法 において、ヘリウムガスを添加した原料ガスを用いることを特徴とする方法。

IPC (5)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B29/04 E ,  C23C16/27 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

F-Term (45)：

4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB01 ,  4G077TB07 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TE01 ,  4K030AA10 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC17 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-308896
  
• ダイヤモンド製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-162256   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• ダイヤモンドの合成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-065868   Applicant：住友電気工業株式会社