二酸化バナジウム薄膜の製造方法及び二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：木下茂 , 澤田優子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022165164
Publication number (International publication number)：2024058048
Application date： Oct. 14, 2022
Publication date： Apr. 25, 2024
Summary：

【課題】500°C以下の焼成温度で化学量論組成を有する二酸化バナジウム薄膜を形成することができ、汎用ガラスなどの低融点材料に成膜可能な二酸化バナジウム薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】二酸化バナジウム前駆体に、炭素数2~10のカルボン酸及び炭素数5~11のβ-ジケトンからなる群より選択される少なくとも一種の安定化剤、及び、溶剤を添加して二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を調製する工程1と、前記二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を基材上に塗布して膜を形成し、不活性雰囲気下に250~350°Cで仮焼成を行う工程2と、前記工程2に続いて、水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下に、450~650°Cで本焼成を行う工程3とを有する二酸化バナジウム薄膜の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

二酸化バナジウム前駆体に、炭素数2~10のカルボン酸及び炭素数5~11のβ-ジケトンからなる群より選択される少なくとも一種の安定化剤、及び、溶剤を添加して二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を調製する工程1と前記二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を基材上に塗布して膜を形成し、不活性雰囲気下に250~350°Cで仮焼成を行う工程2と前記工程2に続いて、水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下に、450~650°Cで本焼成を行う工程3とを有する二酸化バナジウム薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C01G 31/02 , C01G 31/00

FI (2)：

C01G31/02 , C01G31/00

F-Term (7)：

4G048AA02 , 4G048AA03 , 4G048AB01 , 4G048AC08 , 4G048AD02 , 4G048AD06 , 4G048AE08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

二酸化バナジウム薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2019-041121 Applicant：株式会社高純度化学研究所

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