分子ビームエピタキシャル成長で得た(Al,Ga)Asレーザのしきい値の温度依存性の減少

PAWLIK J R; TSANG W T; NASH F R; HARTMAN R L; SWAMINATHAN V

文献

J-GLOBAL ID：200902002791868801 整理番号：81A0358629

分子ビームエピタキシャル成長で得た(Al,Ga)Asレーザのしきい値の温度依存性の減少

Reduced temperature dependence of threshold of (Al,Ga) As lasers grown by molecular beam epitaxy.

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資料名：
巻： 38 号： 12 ページ： 974-976 発行年： 1981年06月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

分子ビームエピタクシーによる3元素素子ウエハのあるものから作...

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半導体レーザ , 半導体薄膜

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