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J-GLOBAL ID：200902002854423414   整理番号：92A0233159

高ドーズの酸素注入によるSi_0.5Ge_0.5合金中の酸化物の形成

Synthesis of oxides in Si_0.5Ge_0.5 alloy by high dose oxygen ion implantation.

著者 (9件)： CASTLE J E (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  LIU H D (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  WATTS J F (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  HEMMENT P L F (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  ZHANG J P (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  NEWSTEAD S M (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  POWELL A R (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  WHALL T E (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  PARKER E H C (Univ. Warwick, Coventry, GBR)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： 12  号： 1/2  ページ： 199-203  発行年： 1992年01月20日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE成長Si(キャップ層)/Si<sub>0.5</sub...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 酸素注入 ,  酸化物