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J-GLOBAL ID：200902110637589450   整理番号：99A0375226

強磁性/酸化物/強磁性構造薄膜の磁気抵抗のキャラクタリゼーション

Characterization of mangetoresistance in ferromagnetic/oxide/ferromagnetic structured thin films.

著者 (5件)： CHO Y-J (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM H-J (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JUNG W-C (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE B-I (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JOO S-K (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 98  号： 621(MR98 78-97)  ページ： 85-89  発行年： 1999年02月26日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気トンネル接合薄膜を二つの異なる絶縁障壁を用い,室温でRF...

シソーラス用語： *MIM構造 ,...
準シソーラス用語： 磁気トンネル接合

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強磁性 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  磁気抵抗 ,  キャラクタリゼーション