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J-GLOBAL ID：200902109720262235   整理番号：93A0663947

p-i-pダイヤモンドユニポーラトランジスタ構造の作製とその正孔注入特性

Preparation of p-i-p diamond unipolar-transistor structure and its hole-injection property.

著者 (3件)： 牧哲朗 (大阪大 基礎工) ,  鈴木静 (大阪大 基礎工) ,  小林猛 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 478  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド ,  ユニポーラトランジスタ ,  作製 ,  正孔注入