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J-GLOBAL ID：200902109912029569   整理番号：98A0854032

高性能0.25μm世代CMOSによるアスペクト比0.63の優れた6.4μm2全CMOS SRAMセル

A Novel 6.4μm2 Full-CMOS SRAM Cell with Aspect Ratio of 0.63 in a High-Performance 0.25μm-Generation CMOS Technology.
著者 (7件)：
KIM K J

KIM K J について

(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)

Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR について

, 
YOUN J M

YOUN J M について

(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)

Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR について

, 
KIM S B

KIM S B について

(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)

Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR について

, 
KIM J H

KIM J H について

(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)

Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR について

, 
HWANG S H

HWANG S H について

(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)

Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR について

, 
KIM K T

KIM K T について

(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)

Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR について

, 
SHIN Y S

SHIN Y S について

(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)

Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR について


資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)

Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology について


巻： 1998  ページ： 68-69  発行年： 1998年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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新しい6.4μm26Tr SRAMセル...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*SRAM

SRAM について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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メモリセル

メモリセル について

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分類 (2件)：
分類
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半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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高性能

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世代

世代 について

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CMOS

CMOS について

, 
アスペクト比

アスペクト比 について

, 
SRAM

SRAM について

, 
セル

セル について


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