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J-GLOBAL ID：200902129213656346   整理番号：94A0298793

Silicon chemical vapor deposition from Si₂Cl₆ and Si₃Cl₈.

著者 (4件)： NUMATA M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KANAMORI M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SUGIURA M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  FUWA A (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： 1st International Conference on Processing Materials for Properties, 1993  (1st International Conference on Processing Materials for Properties, 1993)
ページ： 1249-1252  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19940241  ISBN： 0-87339-256-6  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si2Cl6 ,  Si3Cl8