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J-GLOBAL ID：200902160964510260   整理番号：98A0760566

ホットキャリアでストレスされたn-MOSFETにおけるドレイン・リーク電流劣化に関する電圧縮小と温度の効果

Voltage Scaling and Temperature Effects on Drain Leakage Current Degradation in a Hot Carrier Stressed n-MOSFET.

著者 (6件)： WANG T (National Chiao-Tung Univ., TWN) ,  HSU C F (National Chiao-Tung Univ., TWN) ,  CHIANG L P (National Chiao-Tung Univ., TWN) ,  ZOUS N K (National Chiao-Tung Univ., TWN) ,  CHAO T S (National Nano Devices Lab., Hsin-Chu, TWN) ,  CHANG C Y (National Chiao-Tung Univ., TWN)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 36th  ページ： 209-213  発行年： 1998年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 題記ドレイン・リーク電流の種々の発生機構を考察した。ドレイン...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： ドレインリーク電流 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホットキャリア ,  ストレス ,  MOSFET ,  ドレイン ,  リーク電流 ,  縮小