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J-GLOBAL ID：200902220338647818   整理番号：09A0177124

低ガス圧マルチホロー放電プラズマCVD法を用いたa-Si:Hの高速製膜

High Rate Deposition of a-Si:H Depositied using a Low Gas Pressure Multi-hollow Discharge Plasma CVD Method

著者 (6件)： KOGA Kazunori (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKAMURA William Makoto (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SATO Hiroshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TANAKA Masatoshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAHARA Hiroomi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SHIRATANI Masaharu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： プラズマ科学シンポジウム/プラズマプロセシング研究会プロシーディングス  (プラズマプロセシング研究会プロシーディングス)
巻： 2009-26th  ページ： 230-231  発行年： 2009年 
JST資料番号： L4449A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  *薄膜成長 ,  堆積速度 ,  体積率 ,  欠陥密度 ,  ホロー陰極放電 ,  圧力効果 ,  マルチホロー陰極放電 ,  蒸着速度
準シソーラス用語： 圧力依存性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ガス圧 ,  放電 ,  プラズマCVD法 ,  Si ,  製膜