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J-GLOBAL ID：200902231108710962   整理番号：07A0383669

電流ICTS法により測定したAlGaN/GaN-HEMT電流コラプス現象のドレイン電圧依存性

著者 (11件)： 土屋忠厳 (新機能素子研究開発協) ,  佐沢洋幸 (新機能素子研究開発協) ,  古田啓 (新機能素子研究開発協) ,  彦坂憲宣 (産業技術総合研) ,  奥村元 (産業技術総合研) ,  檜木啓宏 (立命館大) ,  黒内正仁 (新機能素子研究開発協) ,  荒木努 (立命館大) ,  鈴木彰 (新機能素子研究開発協) ,  鈴木彰 (立命館大) ,  名西やす之 (立命館大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 3  ページ： 1490  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *深準位過渡分光法 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ICTS法 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  電流コラプス ,  現象 ,  ドレイン電圧 ,  依存性