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J-GLOBAL ID：200902252671251491   整理番号：09A0848873

BIGT(二重モード絶縁ゲートトランジスタ):高電圧応用のための可能性ある技術

The Bi-mode Insulated Gate Transistor (BIGT) A Potential Technology for Higher Power Applications

著者 (6件)： RAHIMO M. (ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE) ,  KOPTA A. (ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE) ,  SCHLAPBACH U. (ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE) ,  VOBECKY J. (ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE) ,  SCHNELL R. (ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE) ,  KLAKA S. (ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 21st  ページ： 283-286  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 重並列接続下の高電圧チップ用逆導電IGBT概念の可能性を示す高電圧3300V RC(逆導電)IGBTプロトタイプモジュールが提案されている。このモジュールの中間スイッチング条件試験では良好な結果が得られているが,最新のIGBTおよびダイオードに比較し損失およびSOAという観点で性能不足がある。本論文では,新しい電圧BIGT技術とその実験結果につき報告した。本BIGTチップ概念は将来の応用におけるより高い電力密度を実現するための次ステップとなる可能性を有している。実験結果は,BIGTが低損失および高SOAというレベルを維持しながら,トランジスタオン状態モードでは特異的なスナップバック挙動を示した。また本BIGTは安全並列接続性および将来の改善技術曲線のための素子厚低減可能性という大きな弾力性を備えつつ,正の温度係数など多くの素子性能利点をもつことを示した。

シソーラス用語： *IGBT ,  高電圧 ,  半導体チップ ,  許容限界 ,  電気損失 ,  電気保護 ,  温度係数
準シソーラス用語： SOA ,  オン状態 ,  スナップバック ,  パワー損失

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二重モード ,  絶縁 ,  ゲート ,  トランジスタ ,  高電圧 ,  応用 ,  可能性