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J-GLOBAL ID：201002261791695180   整理番号：10A1340422

Al,Bi,AgとCuをドープした市販されたMg₂Siソースの熱電特性

Thermoelectric Characteristics of a Commercialized Mg₂Si Source Doped with Al, Bi, Ag, and Cu

著者 (9件)： SAKAMOTO Tatsuya (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  IIDA Tsutomu (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  MATSUMOTO Atsunobu (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  HONDA Yasuhiko (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  NEMOTO Takashi (Nippon Thermostat Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  SATO Junichi (Nippon Thermostat Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  NAKAJIMA Tadao (Nippon Thermostat Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAGUCHI Hirohisa (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  TAKANASHI Yoshifumi (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 9  ページ： 1708-1713  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mg₂Siは環境に優しい高性能な熱電(TE)材料として知られている。実用的なTEデバイスを実現するために,TE性能を向上させる不純物ドーピングが必要で,Biドーピングが有効である。しかし,Biは有害物質なのでAlで置き換える検討を行っている。本稿では,プラズマ活性化シンタリングにより市販のMg₂SiにAl,Bi,AgとCuをドープした試料を製作し,性能指数ZT値を調べた。その結果,Bi+Al/Mg₂SiのZT値(860Kで0.77)はBi/Mg₂SiのZT値(860Kで0.64)と同等であった。AgドープしたMg₂SiのZT値は873Kで約0.11と低かったが,はっきりしたp型特性が見られた。

シソーラス用語： ケイ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  熱電素子 ,  *熱電材料 ,  *ドーピング ,  ビスマス ,  アルミニウム ,  銀 ,  性能指数 ,  輸送係数 ,  環境保全 ,  焼結 ,  Seebeck係数 ,  *ケイ化マグネシウム
準シソーラス用語： シンタリング ,  熱電デバイス

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al ,  Bi ,  Ag ,  Cu ,  ドープ ,  ソース ,  熱電特性