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J-GLOBAL ID：201202266737354366   整理番号：12A1589411

PdコートCuワイヤボンディング技術:高信頼性半導体デバイスのためのチップ設計,プロセス最適化,生産認定試験と信頼性試験

Pd-coated Cu Wire Bonding Technology: Chip Design, Process Optimization, Production Qualification and Reliability Test for High Reliability Semiconductor Devices

著者 (8件)： SINGH Inderjit (Xilinx Inc., CA, USA) ,  QIN Ivy (Kulicke and Soffa Ind. Inc., PA, USA) ,  XU Hui (Univ. Alabama, AL, USA) ,  HUYNH Cuong (Kulicke and Soffa Ind. Inc., PA, USA) ,  LOW Shin (Xilinx Inc., CA, USA) ,  CLAUBERG Horst (Kulicke and Soffa Ind. Inc., PA, USA) ,  CHYLAK Bob (Kulicke and Soffa Ind. Inc., PA, USA) ,  ACOFF Viola L. (Univ. Alabama, AL, USA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 62nd Vol.2  ページ： 1089-1096  発行年： 2012年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの組み立てでは,従来Auワイヤボンディングが一般的であったが,コスト低減のためCuワイヤボンディングが使われるようになってきた。さらにPdコートCu(PdCu)ワイヤがCuワイヤより好まれる。本稿では,PdCuワイヤボンディングに関する設計,プロセス条件の検討結果を報告した。特に,AlパッドへのPdCuボンディングについて金属間化合物(IMC)成長と相変態,酸化アルミニウムの保持,およびPdCuワイヤボンドにおけるPdの挙動を,高分解能透過電子顕微鏡法(HRTEM)と二重ビーム集束イオンビーム(FIB)による薄膜化試料により調べた結果を報告した。TEMの結果,酸化アルミニウムがボンディング中に破壊された領域にIMC CuAl₂(~20nm)が生じることが分かった。また,Cu₉Al₄がCuAl₂とCuボールの間に第2 IMCとして生じた。その他の組織の観察結果についても述べた。

シソーラス用語： 半導体素子 ,  原価低減 ,  *銅 ,  パラジウム ,  *金属間化合物 ,  相変態 ,  酸化アルミニウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  集束イオンビーム ,  *ワイヤボンディング
準シソーラス用語： コスト低減 ,  透過電子顕微鏡 ,  半導体デバイス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： Pd ,  コート ,  Cu ,  ワイヤボンディング ,  高信頼性 ,  半導体デバイス ,  設計 ,  プロセス最適化 ,  認定試験 ,  信頼性試験