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J-GLOBAL ID：201502274867566866   整理番号：15A0145829

Cu相互接続のキャッピング層用の新しいCVD/原子層堆積前駆体「Rudense」からのRu薄膜の特性化

Characterization of Ru thin films from a novel CVD/atomic layer deposition precursor “Rudense” for capping layer of Cu interconnects

著者 (7件)： MANIWA Atsushi (TOSOH Corp., 2743-1, Hayakawa, Ayase, Kanagawa 252-1123, JPN) ,  CHIBA Hirokazu (TOSOH Corp., 2743-1, Hayakawa, Ayase, Kanagawa 252-1123, JPN) ,  KAWANO Kazuhisa (TOSOH Corp., 2743-1, Hayakawa, Ayase, Kanagawa 252-1123, JPN) ,  KOISO Naoyuki (TOSOH Corp., 2743-1, Hayakawa, Ayase, Kanagawa 252-1123, Japan and Sagami Chemical Res. Inst., 2743-1, Hayakawa ...) ,  OIKE Hiroyuki (TOSOH Corp., 2743-1, Hayakawa, Ayase, Kanagawa 252-1123, Japan and Sagami Chemical Res. Inst., 2743-1, Hayakawa ...) ,  FURUKAWA Taishi (TOSOH Corp., 2743-1, Hayakawa, Ayase, Kanagawa 252-1123, Japan and Sagami Chemical Res. Inst., 2743-1, Hayakawa ...) ,  TADA Ken-ichi (Sagami Chemical Res. Inst., 2743-1, Hayakawa, Ayase, Kanagawa 252-1193, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 1  ページ： 01A133-01A133-4  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非酸化条件下のCVD及び原子層堆積(ALD)工程用に,新しいRu前駆体,Ru(EtCp)(η⁵-CH₂C(Me)CHC(Me)O)[Rudense],を開発することに成功した。Rudenseは十分な蒸気と良好な熱安定性(分解温度≒230°C)を有する。Ru前駆体にRudense,反応物質にNH₃を用いて,Pt,Ru,Si,SiO₂基板上にRu薄膜を成長させた。Rudenseは共形,低不純物(<10²¹原子/cc),低電気抵抗率(16μΩcm)のRu薄膜を与えた。また,Rudenseは基板選択性を示した。従って,RudenseはCu相互接続のRuキャッピング層の領域選択CVD及びALD前駆体の候補になり得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 相互接続 ,  *化学蒸着 ,  前駆体 ,  *ルテニウム ,  薄膜成長 ,  銅 ,  電子顕微鏡観察 ,  被覆 ,  蒸気圧 ,  熱安定性 ,  基板
準シソーラス用語： *原子層堆積

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (9件)： Cu ,  相互接続 ,  キャッピング層 ,  CVD ,  原子層堆積 ,  前駆体 ,  Ru ,  薄膜 ,  特性化