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J-GLOBAL ID：201002200844310139   整理番号：10A0424990

JSRにおけるEUVリソグラフィー材料の開発-現状と今後-

著者 (5件)： 木村徹 (JSR 精密電子研) ,  丸山研 (JSR 精密電子研) ,  志水誠 (JSR 精密電子研) ,  甲斐敏之 (JSR 精密電子研) ,  山口佳一 (JSR 精密電子研)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 90th  号： 1  ページ： 30  発行年： 2010年03月12日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  真空紫外線 ,  *フォトレジスト ,  分解能 ,  表面粗さ ,  *ポリビニルフェノール ,  光酸発生剤 ,  高感度 ,  拡散距離 ,  保護基
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  ポリヒドロキシスチレン ,  解像度 ,  拡散長 ,  線幅粗さ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (3件)： EUVリソグラフィー ,  開発 ,  現状