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J-GLOBAL ID：201202216586337378   整理番号：12A0505369

Zn-doped GaAs(110)表面におけるSTM発光の定量解析

著者 (4件)： 今田裕 (理研 基幹研) ,  清水智子 (理研 基幹研) ,  山本直紀 (東京工大 大学院) ,  KIM Yousoo (理研 基幹研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 67  号： 1 第4分冊  ページ： 956  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 亜鉛 ,  ドーピング ,  *ヒ化ガリウム ,  P型半導体 ,  電子顕微鏡観察 ,  表面 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  放射強度 ,  *発光 ,  固体表面 ,  発光強度

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Zn ,  GaAs ,  STM ,  定量解析