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J-GLOBAL ID：201502207315760154   整理番号：15A0512410

Ge MOSFETの為のTCAD歪較正対ソース/ドレインストレッサーのナノビーム回折

TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs

著者 (14件)： BUEHLER Rudolf Theoderich (imec, Leuven, BEL) ,  BUEHLER Rudolf Theoderich (Univ. Sao Paulo, Sao Paulo, BRA) ,  ENEMAN Geert (imec, Leuven, BEL) ,  FAVIA Paola (imec, Leuven, BEL) ,  WITTERS Liesbeth Johanna (imec, Leuven, BEL) ,  VINCENT Benjamin (imec, Leuven, BEL) ,  HIKAVYY Andriy (imec, Leuven, BEL) ,  LOO Roger (imec, Leuven, BEL) ,  BENDER Hugo (imec, Leuven, BEL) ,  COLLAERT Nadine (imec, Leuven, BEL) ,  SIMOEN Eddy (imec, Leuven, BEL) ,  SIMOEN Eddy (Ghent Univ., Ghent, BEL) ,  MARTINO Joao Antonio (Univ. Sao Paulo, Sao Paulo, BRA) ,  CLAEYS Cor (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 4  ページ： 1079-1084  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿でGe nMOSFETに使ったストレッサー技術はソース/ドレインストレッサーである。nMOSFETではS/D領域がリセスされエピタキシャルで埋められているので,チャネルには引っ張りストレスがかかる。pMOSFETのS/Dは歪緩和バッファ(SRB)二軸ストレスGe層の上をGeのエピタキシャルで埋めている。これ等のn/pMOSFETにたいしてTCAD有限要素シミュレーションを行い,ナノビーム回折歪測定と比較した。全体的に歪プロファイルは実験とシミュレーションで良く一致しているが,歪緩和Geバッファ層における拡張欠陥の存在でいくつかの解離が生じている。このことは緩和GeまたはSiGe SRBで歪の無い参照を選択することの重要性を示している。

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  *MOSFET ,  CAD【計算機】 ,  梁 ,  *素子構造 ,  引張応力 ,  エピタクシー ,  計算機シミュレーション ,  *歪測定 ,  バッファ層 ,  緩和現象 ,  回折 ,  ストレッサー ,  リセス構造 ,  有限要素シミュレーション ,  計算機利用 ,  利用 ,  *計測
準シソーラス用語： TCAD ,  エピタキシャル ,  ナノビーム ,  引張ストレス ,  歪緩和

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ge ,  MOSFET ,  TCAD ,  歪 ,  較正 ,  ソース ,  ナノビーム ,  回折