文献

J-GLOBAL ID：201602217156968619   整理番号：16A1190956

In含有量が0.53及び0.70の(100),(111)A,(111)B InGaAs表面及びAl₂O₃/InGaAs金属酸化物半導体(MOS)界面特性に及ぼす表面配向の影響

Impact of surface orientation on (100), (111)A, and (111)B InGaAs surfaces with In content of 0.53 and 0.70 and on their Al₂O₃/InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties

著者 (5件)： Yokoyama Masafumi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Suzuki Rena (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Taoka Noriyuki (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Takenaka Mitsuru (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Takagi Shinichi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 109  号： 18  ページ： 182111-182111-4  発行年： 2016年10月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 半導体 ,  配向 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *MOS構造 ,  界面 ,  特性 ,  *X線光電子スペクトル ,  容量電圧特性 ,  分散【dispersion】 ,  半導体材料 ,  酸化アルミニウム
準シソーラス用語： 界面特性 ,  周波数分散 ,  表面配向

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 含有量 ,  InGaAs ,  Al2O3 ,  金属酸化物半導体 ,  MOS ,  界面特性 ,  表面配向