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J-GLOBAL ID：201602230186341652   整理番号：16A0804560

400Kまでの高Kゲートスタックおよび安定なヒステリシス特性を有する垂直バンド間トンネリングに基づく不揮発性メモリ【Powered by NICT】

Vertical band-to-band tunneling based non-volatile memory with high-K gate stack and stable hysteresis characteristics up to 400K

著者 (3件)： Biswas Arnab (Nanolab, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH, - 1015, Lausanne, Switzerland) ,  Tomar Saurabh (Nanolab, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH, - 1015, Lausanne, Switzerland) ,  Ionescu Adrian M. (Nanolab, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH, - 1015, Lausanne, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,高k Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3誘電体スタックと垂直トンネルを用いたトンネルFET(TFET)を用いた不揮発性メモリ(NVM)細胞の実証を初めて報告した。垂直トンネルTFETデバイスを作製し,特性化低電力メモリ動作としてのそれらの可能性を評価した。メモリセルは,-10Vから-15V(p型)から電圧でプログラムできると非常に低い漏れと10 6プログラムサイクルまで非常に安定なメモリヒステリシスを示した。初めて著者らは,FET NVMとは極めて対照的で,TFETメモリウィンドウ(VTシフト)はTFETの特異的バンド間(BTB)伝導のために400Kまでの温度で高度に安定であることを実験的に示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  電圧 ,  *不揮発性メモリ ,  *記憶装置 ,  誘電体 ,  *ヒステリシス ,  記憶素子 ,  *トンネル効果
準シソーラス用語： 低電力化 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲートスタック ,  ヒステリシス特性 ,  垂直 ,  バンド間トンネリング ,  不揮発性メモリ