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J-GLOBAL ID：201602233563125553   整理番号：16A0525484

III-V/Siヘテロエピタキシーのための界面制御

Interface control for III-V/Si hetero-epitaxy

著者 (5件)： 山根啓輔 (豊橋技科大) ,  関口寛人 (豊橋技科大) ,  岡田浩 (豊橋技科大) ,  岡田浩 (豊橋技科大 エレクトロニクス先端融合研) ,  若原昭浩 (豊橋技科大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 50(SDM2016 18-31)  ページ： 61-65  発行年： 2016年05月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,GaP/SiヘテロエピタキシーのためのSi基板上第一原子層の形成行程に着目し,Si基板の表面状態とGaP成長層に生じるアンチフェーズドメインとの関係を明らかにする。成長開始前,Si微傾斜基板にP₂分子線照射を高温(>640°C)にて行うと,Si基板表面にステップバンチングを生じ,基板表面のテラス幅が拡大する。このような表面にGaP層をエピタキシャル成長すると,テラス幅に相当する底辺を持つアンチフェーズドメインが生じ,自己消滅までの膜厚が増加することが明らかになった。従って,P₂分子線照射を,基板温度を十分に下げたところで行い,Si基板表面にステップバンチングを生じない温度領域で結晶成長を開始することが重要である。(著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ケイ素 ,  *ヘテロエピタクシー ,  *制御 ,  リン化ガリウム ,  分域 ,  表面ステップ ,  基板温度
準シソーラス用語： GaP ,  *III-V化合物半導体 ,  *Si ,  アンチフェイズドメイン ,  ステップバンチング ,  *界面制御

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ヘテロエピタキシー ,  界面制御