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J-GLOBAL ID：201602237726931048   整理番号：16A0976816

種々の温度でPECVDにより交差指電極マイクロスーパーキャパシタに関するグラフェン成長の構造解析【Powered by NICT】

Structural analysis of graphene growth on interdigital electrodes micro supercapacitor by PECVD at various temperatures

著者 (6件)： Abidin Hafzaliza Erny Zainal (Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), 43600 UKM Bangi, Selangor, Malaysia) ,  Hamzah Azrul Azlan (Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), 43600 UKM Bangi, Selangor, Malaysia) ,  Mohamed Mohd Ambri (Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), 43600 UKM Bangi, Selangor, Malaysia) ,  Yunas Jumril (Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), 43600 UKM Bangi, Selangor, Malaysia) ,  Majlis Burhanuddin Yeop (Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), 43600 UKM Bangi, Selangor, Malaysia) ,  Abid Mohd Asyadi Azam Mohd (Faculty of Manufacturing Engineering, Universiti Teknikal Malaysia (UTEM), 76100 Durian Tunggal, Melaka, Malaysia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICSE  ページ： 328-331  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度の異なるプラズマ増強化学蒸着(PECVD)によるグラフェン成長を持つ平面交差指形マイクロスーパーキャパシタは,本研究で調べた。マイクロスーパーキャパシタの構造はSiO_2基板,固体電解質としてのポリピロール(Ppy)とポリビニルアルコール(PVA)層で被覆されたニッケル(Ni)電極上のグラフェン成長から構成されている。~2混成炭素原子を持つグラフェンの単層は,高い比表面積,高い熱伝導率と高電子移動度のようないくつかの利点のためにミクロスーパーキャパシタ電極用の使用されてきた有望な材料の一つである。PECVD法は高い成長選択性とナノ構造パターン形成における良好な制御などの利点が原因となったグラフェン成長のための主要な方法である。本研究では,交差指電極上のグラフェン成長は400°Cから1000°Cまでの種々の温度で調べた。マイクロスーパーキャパシタの交差指電極上のグラフェン成長構造をRaman分光法によって特性化した。Raman分光法は,532nmレーザ励起を用いて行った。RamanスペクトルグラフェンであるDバンド,Gバンド2dバンド三ピークを同定した交差指形電極で観察された。Ramanスペクトルは,1000°C0.43で2dバンドGバンドの強度比は,多層グラフェン成長の良好な品質を示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： パターン形成 ,  Ramanスペクトル ,  熱伝導率 ,  Raman分光法 ,  固体電解質 ,  *グラフェン ,  キャラクタリゼーション ,  ナノ構造 ,  *構造解析 ,  レーザ励起 ,  比表面積 ,  *プラズマCVD
準シソーラス用語： 多層グラフェン ,  電子移動度 ,  *交差指電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  通信理論一般  (ND02010V)

タイトルに関連する用語 (6件)： PECVD ,  交差指電極 ,  マイクロスーパーキャパシタ ,  グラフェン ,  成長 ,  構造解析