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J-GLOBAL ID:201602254079627610   整理番号:16A1030338

最新CMOS接触における酸素誘電体挿入のためのFermi脱ピン止め,双極子と酸化物トンネルに関する考察【Powered by NICT】

Considerations on fermi-depinning, dipoles and oxide tunneling for oxygen-based dielectric insertions in advanced CMOS contacts
著者 (14件):
資料名:
巻: 2016  号: SNW  ページ: 140-141  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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先端CMOSノードのための接触抵抗の改善を目的とした金属/絶縁体/半導体(MIS)接合の実験的およびシミュレートされたJ-V特性を示した。原子層蒸着(ALD)に基づくAl_2O_3プロセスは天然酸化けい素再成長系列における付加的なトンネル抵抗を誘発する可能性があることを示した。潜在的に有益な界面双極子を含む金属/絶縁体/絶縁体/金属(MIIS)接触のモデリングに基づく分析は,低抵抗率接触のための高κ/SiO_2二分子層に対する新しい展望を提供する。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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生体計測 

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