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J-GLOBAL ID：201602257885378138   整理番号：16A1342619

3-D-積層,16メガ画素グローバルシャッターCMOSイメージセンサ使用して,信頼性の高い画素内7.6-μmピッチで400万マイクロバンプの相互接続

3-D-Stacked 16-Mpixel Global Shutter CMOS Image Sensor Using Reliable In-Pixel Four Million Microbump Interconnections With 7.6- $¥mu ¥text{m}$ Pitch

著者 (12件)： Kondo Toru (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Takazawa Naohiro (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Takemoto Yoshiaki (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Tsukimura Mitsuhiro (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Saito Haruhisa (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Kato Hideki (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Aoki Jun (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Kobayashi Kenji (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Suzuki Shunsuke (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Gomi Yuichi (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Matsuda Seisuke (Olympus Corp., Tokyo, Japan) ,  Tadaki Yoshitaka (Olympus Corp., Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 1  ページ： 128-137  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は,400万画素の高速画像キャプチャモードを備えた,2Mピクセルの10,000フレーム/秒の高速画像キャプチャモードを備えた,3Dスタック16M画素,3.8μmピッチ,およびグローバルシャッタ(GS)CMOSイメージセンサを開発したマイクロバンプ相互接続。このセンサは,フォトダイオード(PD)基板と画素内蓄積ノード基板とからなる。トップ基板上の単位画素回路内の4つのPDは,7.6μmのピッチで1つのマイクロバンプ相互接続を共有する。PDの各信号は,相互接続を介して下部基板上の対応する蓄積ノードに転送され,GS機能を達成する。画素内蓄積ノードの寄生光感度とPDの光感度との比は-180dBであり,これは3.8μm画素のCMOSイメージセンサにとって最良の記録である。イメージセンサは,ウェハ上ウェハ接合プロセス技術を用いて製造された。我々は,ボンディングプロセスが画素やMOSトランジスタの特性に悪影響を及ぼさず,余分な面積を必要としないことを確認した。これは,マイクロバンプや回路のレイアウト設計に制限がないことを意味する。熱サイクル試験または高温高湿試験のいずれにおいても信頼性の問題は観察されなかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 三次元 ,  積層構造 ,  画素 ,  *シャッタ ,  *モーションキャプチャ ,  *CMOS構造 ,  *イメージセンサ ,  *信頼性 ,  ピッチ【機械要素】 ,  バンプ ,  相互接続 ,  高速度 ,  *フォトダイオード ,  基板 ,  感度 ,  *ウエハ【IC】 ,  *ボンディング【IC】 ,  MOSFET ,  配置設計 ,  熱サイクル ,  高温 ,  湿潤試験
準シソーラス用語： *グローバルシャッタ ,  CMOSイメージセンサ ,  マイクロバンプ ,  光感度 ,  熱サイクル試験 ,  高温高湿試験

著者キーワード (5件)： reliability ,  3-D stack ,  bump ,  CMOS image sensor (CIS) ,  global shutter (GS)

分類 (3件)： 撮像・録画装置  (ND12032E) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 画素 ,  グローバル ,  シャッター ,  CMOSイメージセンサ ,  ピッチ ,  バンプ ,  相互接続