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J-GLOBAL ID：201602268029458436   整理番号：16A1315747

Plasma nitridation of atomic layer deposition (ALD) Al₂O₃ by NH₃ in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) for silicon solar cell

著者 (3件)： Cho Young Joon (Graduate School of Energy Science & Technology, Chungnam National University, Yuseong-gu, Daejeon 305-764, Republic of Korea) ,  Cha Hamchorom (Graduate School of Energy Science & Technology, Chungnam National University, Yuseong-gu, Daejeon 305-764, Republic of Korea) ,  Chang Hyo Sik (Graduate School of Energy Science & Technology, Chungnam National University, Yuseong-gu, Daejeon 305-764, Republic of Korea)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 307  号： PB  ページ： 1096-1099  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

著者キーワード (7件)： Si solar cell ,  Surface passivation ,  Atomic layer deposition ,  Plasma nitridation ,  Al₂O₃ ,  Carrier lifetime ,  Plasma-enhanced chemical vapor deposition

タイトルに関連する用語 (4件)： ALD ,  Al2O3 ,  NH3 ,  PECVD