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J-GLOBAL ID：201602269342618535   整理番号：16A0518267

CdTe/GaAsヘテロ界面のポテンシャル障壁の高さに及ぼすGa-Te界面層の影響

Effects of Ga-Te interface layer on the potential barrier height of CdTe/GaAs heterointerface

著者 (15件)： Xi Shouzhi (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Jie Wanqi ,  Zha Gangqiang ,  Yuan Yanyan ,  Wang Tao ,  Zhang Wenhua ,  Zhu Junfa ,  Xu Lingyan ,  Xu Yadong ,  Su Jie ,  Zhang Hao ,  Gu Yaxu ,  Li Jiawei ,  Ren Jie ,  Zhao Qinghua
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 18  号： 4  ページ： 2639-2645  発行年： 2016年01月28日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面層は,CdTe/GaAsヘテロ界面のポテンシャル障壁高さに重要な意味をもつ。本研究では,分子線エピタキシーにより製造したCdTe/GaAsヘテロ構造の電子特性を,3.5~74.6Å厚さのCdTeに対して放射光光電子分光法によりその場で調査した。CdTe堆積中に,AS-TeおよびGa-Te界面反応が発生したが,これは,Gaの外方拡散を引き起こした。その結果,安定したゲート界面ダイポール層(30Å以上)が形成され,これは0.38eVだけポテンシャル障壁高さを低減した。ポテンシャル障壁高さは,Ga-Te界面層の化学結合密度および厚さに比例した。これらの結果は,CdTe/GaAsヘテロ界面のポテンシャル障壁高さに及ぼす界面層の影響機構のより基本的な理解を提供する。Copyright 2016 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *ポテンシャル障壁 ,  界面 ,  境界層 ,  不均一系反応 ,  双極子 ,  化学結合 ,  光電子分光法
準シソーラス用語： ダイポール ,  ヘテロ界面 ,  界面層 ,  界面反応 ,  光電子分光

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： CdTe ,  GaAs ,  ヘテロ界面 ,  ポテンシャル ,  Ga ,  Te ,  界面層