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J-GLOBAL ID：201602271778144040   整理番号：16A1342943

熱管理を超えて:AlGaN/GaN HEMTにpダイヤモンドのバックバリアとキャップ層を組み込む

Beyond Thermal Management: Incorporating p-Diamond Back-Barriers and Cap Layers Into AlGaN/GaN HEMTs

著者 (3件)： Zhang Yuhao (, Mitsubishi Electric Research Laboratories, Cambridge, MA, USA) ,  Teo Koon Hoo (, Mitsubishi Electric Research Laboratories, Cambridge, MA, USA) ,  Palacios Tomas (Department of Electrical Engineering and Computer ScienceMicrosystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 6  ページ： 2340-2345  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究は,GaNベースの高電子移動度トランジスタ(HEMT)の性能を向上させるために,pダイヤモンドバックバリア(BB)およびキャップ層の使用を探究している。ダイヤモンドは,GaNエレクトロニクスと相補的な高濃度にドープされたp型層を提供することができる。自己一貫した電熱シミュレーションは,pダイヤモンドBBおよびキャップ層の使用が,GaNベースのHEMTの破壊電圧を4倍に増加させることができると同時に,2-D電子ガス閉じ込めを強化し,短チャネル効果を減らせる。これらの結果は,pダイヤモンド層が,今まで追求されてきた熱的改善を超えて,高出力および高周波用途向けのGaN HEMTの性能を改善できることを強調している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *ダイヤモンド ,  熱管理 ,  *保護膜 ,  *パワーエレクトロニクス ,  ドーピング ,  *P型半導体 ,  二次元電子ガス ,  短チャネル効果 ,  *出力 ,  *SHF波 ,  ナノ結晶 ,  電圧 ,  熱特性
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  キャップ層 ,  高出力 ,  ナノ結晶ダイヤモンド ,  絶縁破壊電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱管理 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  ダイヤモンド ,  キャップ層