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J-GLOBAL ID：201602284401357830   整理番号：16A1211254

nFinFET0温度係数に及ぼす陽子照射と歪の影響【Powered by NICT】

Influence of proton radiation and strain on nFinFET zero temperature coefficient

著者 (7件)： Nascimento Vinicius M. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Agopian Paula G. D. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Almeida Luciano M. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Bordallo Caio C. M. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Simoen Eddy (Imec, Leuven, Belgium) ,  Claeys Cor (Imec, Leuven, Belgium) ,  Martino Joao A. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SBMicro  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて実験データと簡単な解析モデルに基づくSOI nFinFETにおける零温度係数(ZTC)に及ぼす陽子照射と歪の影響の研究を提示した。歪は,移動度,相互コンダクタンス(gm)を改善し,バンドギャップの減少によるしきい値電圧(VTH)を減少させた。陽子照射はgmを分解し,主に広いフィンのためのVTHを減少させた。両パラメータ(gmとVTH)はZTCバイアス点,ZTC解析モデルによって支持されるに影響を与えることを実験的に観察した。VTH影響をgm温度分解因子(c)を振幅と放射におけるVZTCを直接,温度と共にVZTCの望ましくない変化をもたらす。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 移動度 ,  フィン ,  *温度係数 ,  相互コンダクタンス ,  バイアス ,  *陽子照射 ,  バンドギャップ ,  解析モデル
準シソーラス用語： 閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 温度係数 ,  陽子照射 ,  歪