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J-GLOBAL ID:201702211328812553   整理番号:17A0551963

活性層から成る自己集合三次元MoS2ミクロスフェアのバイポーラ抵抗スイッチングメモリ挙動の機構

Mechanism for bipolar resistive switching memory behaviors of a self-assembled three-dimensional MoS2 microsphere composed active layer
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資料名:
巻: 121  号: 15  ページ: 155302-155302-7  発行年: 2017年04月21日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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半導体集積回路 

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