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J-GLOBAL ID：201702211328812553   整理番号：17A0551963

活性層から成る自己集合三次元MoS₂ミクロスフェアのバイポーラ抵抗スイッチングメモリ挙動の機構

Mechanism for bipolar resistive switching memory behaviors of a self-assembled three-dimensional MoS₂ microsphere composed active layer

著者 (9件)： Zhou G. D. (Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Lu Z. S. (Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Yao Y. Q. (Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Wang G. (Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Yang X. D. (Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Zhou A. K. (ChinaKunming Institute of Botany, Chinese Academy Science, Kunming 650201, China) ,  Li P. (School of Physics and Mechanical and Electrical Engineering, Zunyi Normal College, Zunyi 563002, People’s Republic of China) ,  Ding B. F. (Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Song Q. L. (Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 15  ページ： 155302-155302-7  発行年： 2017年04月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  保持時間 ,  *銀 ,  機能性繊維 ,  *ホッピング伝導 ,  電子 ,  捕獲 ,  *ミクロスフェア ,  自己集合 ,  回路部品 ,  比率 ,  *記憶装置 ,  スイッチング ,  酸化インジウムスズ ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  電子トラップ
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  トラップ【固体】 ,  メモリスタ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 活性層 ,  自己集合 ,  MoS2 ,  ミクロスフェア ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチングメモリ ,  挙動