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J-GLOBAL ID：201702211472019684   整理番号：17A0312564

大きいヒステリシスを有する高移動度マルチビット不揮発性メモリ素子に基づく有機電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

High mobility multibit nonvolatile memory elements based organic field effect transistors with large hysteresis

著者 (9件)： Zhang Yong (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, Heilongjiang 150001, China) ,  Lang Caili (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, Heilongjiang 150001, China) ,  Fan Jingze (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, Heilongjiang 150001, China) ,  Shi Lei (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, China) ,  Yi Yuanping (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, CAS Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Yu Qingjiang (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, Heilongjiang 150001, China) ,  Guo Fengyun (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, Heilongjiang 150001, China) ,  Wang Jinzhong (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, Heilongjiang 150001, China) ,  Zhao Liancheng (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, Heilongjiang 150001, China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 35  ページ： 53-58  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリキノリン(PQ)の薄層を持つ有機電界効果トランジスタに基づく高移動度マルチビット不揮発性メモリ素子を報告した。デバイスは不揮発性有機メモリトランジスタで報告された最良の一つである飽和領域における1.5Cm~2V~ 1s~ 1の高い移動度を示した。マルチビット不揮発性メモリ素子は連続操作条件下で良好な安定性を持ち,100V以下の電圧で動作させることができると長い保持時間を示した。 100Vまでの異なる初期走査正のゲート電圧はいくつかの状態の原因となり,一方, 100Vから正電圧走査ゲート電圧は同じOFF状態に導く。PQ層への電子の電荷捕獲モデルを用いて,記憶特性の起源を説明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *非揮発性 ,  記憶特性 ,  連続操作 ,  *トランジスタ ,  電圧 ,  *ヒステリシス ,  保持時間 ,  *移動度 ,  *不揮発性メモリ
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  オフ状態 ,  ゲート電圧 ,  有機メモリ ,  *有機FET ,  *高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： マルチビット不揮発性メモリ ,  ポリキノリン ,  有機電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヒステリシス ,  高移動度 ,  マルチビット ,  不揮発性 ,  メモリ素子 ,  有機電界効果トランジスタ