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J-GLOBAL ID：201702211545399153   整理番号：17A0478359

磁性層をもつヘテロ構造におけるスピン依存のトンネリング再結合

Spin-Dependent Tunneling Recombination in Heterostructures with a Magnetic Layer

著者 (6件)： DENISOV K. S. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  DENISOV K. S. (Lappeenranta Univ. Technol., Lappeenranta, FIN) ,  ROZHANSKY I. V. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  ROZHANSKY I. V. (Lappeenranta Univ. Technol., Lappeenranta, FIN) ,  AVERKIEV N. S. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  LAEHDERANTA E. (Lappeenranta Univ. Technol., Lappeenranta, FIN)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 1  ページ： 43-48  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁性不純物をもつ半導体ヘテロ構造における共鳴トンネリングスピン依存再結合の理論を示した。量子井戸(QW)からスピン-分裂ドナー状態への荷電キャリアの共鳴トンネリングの場合と,非共鳴で,反対の電子スピン射影に対する,ドナー準位を経由したスピン依存再結合の1粒子過程の割合の相異からQW内のスピン分極が生ずる場合との二つの物理的に異なる場合を考察した。計算結果はMnドープInGaAs構造の光ルミネセンス実験結果を定量的にも,定性的にも説明できる。

シソーラス用語： *再結合 ,  *量子井戸 ,  *ヘテロ接合 ,  依存性 ,  *マンガン ,  *光ルミネセンス ,  *共鳴トンネル効果 ,  素子構造 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  ドーピング ,  磁性不純物 ,  キャリア ,  不純物準位 ,  スピン分極 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： スピン依存性 ,  ドナー準位 ,  ヘテロ構造 ,  共鳴トンネリング

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁性層 ,  ヘテロ構造 ,  スピン ,  トンネリング ,  再結合