文献

J-GLOBAL ID：201702211593118008   整理番号：17A0203800

InAs/GaAs単一量子ドットのオンデマンドエピタクシーのための適切なin沈着【Powered by NICT】

Proper In deposition amount for on-demand epitaxy of InAs/GaAs single quantum dots

著者 (11件)： Shang Xiangjun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Jianxing (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Ma Ben (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Chen Zesheng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wei Sihang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Mifeng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zha Guowei (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Lichun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yu Ying (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Ni Haiqiao (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Niu Zhichuan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 10  ページ： 107805-1-107805-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 試験QDその場アニーリング法は成長再現性を高めるInAs/GaAs単一量子ドット(SQD)の臨界核形成条件を乗り越えることができた。,回転基板上に多くの成長試験を通して,著者らはSQD成長のための適切なIn蒸着量(θ)を開発し,試験QD核形成(θ_c)で測定した臨界qに従った。θ/θ_cが変化するとQDのサイズと密度の進展で示されるように,実基板温度の変化(T(サブ))の大きな耐性を持つ,適切な比θ/θ_cは端部に0.964 0.971と>0.989が4片半絶縁性ウエハの中心における<0.996であり,周辺0.9709が4片N +ウエファーの中心部で<0.9714であった。905nm1935nmでスペクトル線を有する高輝度SQDは端部に核形成し,原子間力顕微鏡法における個々の7nm,8nm QDと相関し,約860nm800nmの強いスペクトルプロフィルを持つ緻密な1nm,5nm小QDである。中心に高いT(サブ)は,適切なθ/θ_cの希釈,背が高く,均一なQD,非常に希薄なSQDを形成する25μm~2唯一の,7nm高さSQD。2インチ(1インチ=2.54cm)半絶縁性ウエハについて,θ/θ_c=0.961を用いて,SQDは全面積の22%の円内に核形成した。よりSQDは適切なθ/θ_cを用いて中心の広い高(サブ)領域で形成されるであろう。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーテッドアニーリング ,  蒸着 ,  *ヒ化ガリウム ,  スペクトル ,  再現性 ,  基板温度 ,  臨界 ,  *沈着 ,  核形成 ,  *ヒ化インジウム
準シソーラス用語： 原子間力顕微鏡法 ,  高輝度 ,  半絶縁性 ,  *単一量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 単一量子ドット ,  適切な堆積量 ,  オンチップ分布 ,  高さ統計 ,  μPLスペクトル

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  GaAs ,  単一量子ドット ,  沈着