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J-GLOBAL ID：201702211601389815   整理番号：17A0759440

AlN/stripパターン形成したSiO_2犠牲層を用いたエコGaNテンプレートからの窒化LEDのための化学リフトオフプロセス【Powered by NICT】

Chemical lift-off process for nitride LEDs from an Eco-GaN template using an AlN/strip-patterned-SiO₂ sacrificial layer

著者 (7件)： Horng Ray-Hua (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan, ROC) ,  Horng Ray-Hua (Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, ROC) ,  Hsueh Hsu-Hung (Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, ROC) ,  Ou Sin-Liang (Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University, Changhua 51591, Taiwan, ROC) ,  Tsai Chi-Tsung (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, ROC) ,  Tsai Tsung-Yen (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, ROC) ,  Wuu Dong-Sing (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, ROC)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600657  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,電気めっきしたCu基板上に作製した窒化物発光ダイオード(LED)をAlN/stripパターン化SiO_2中間犠牲層を用いた化学リフトオフ(CLO)プロセスを行うことによりGaN/サファイア(エコGaN)テンプレートから除去することができた。AlN/パターン化SiO_2/エコGaN上に堆積した再成長GaNエピ層をエピタキシャル横方向被覆成長プロセスによる高結晶品質を達成することができる。パターン化SiO_2とAlN層をエッチングするために,HFおよび80°CKOH溶液を使用した。低温KOH溶液の使用により,GaNエピ層はCLOプロセス中の損傷を受けにくく,エコGaNテンプレートの再利用可能性を改善するであろう。さらに,エッチング処理は,AlN層を使用した場合,高横方向エッチング率0.5mm時間~( 1)が達成された。通常のLEDと比較して,垂直型LED/Cu基板は,212mWの高い出力を有していた(350mAで)。著者らの推定に基づいて,Cu基板上に作製したLEDの出力パワーは通常のLEDのそれに比較して86%改善した。明らかに,LED/Cuデバイスの良好なオプトエレクトロニック性能はCLOプロセスを実行した後に得ることができた。さらに,分離されたエコGaNテンプレートは再利用のための高い可能性を有している,この方法は費用効果の良いLED作製に有用であることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  発光ダイオード ,  *パターン形成 ,  銅 ,  *窒化 ,  低温 ,  *窒化アルミニウム ,  エピタクシー ,  電気めっき ,  エッチング ,  サファイア
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  エピタキシャル層 ,  *リフトオフ ,  *犠牲層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 化学リフトオフ ,  エコGaN ,  発光ダイオード ,  縦型LED

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (10件)： AlN ,  パターン形成 ,  犠牲層 ,  GaN ,  テンプレート ,  窒化 ,  LED ,  化学 ,  リフトオフ ,  プロセス