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J-GLOBAL ID：201702211898973178   整理番号：17A0323795

熱活性化delaid蛍光素子のドーピング濃度,宿主の電荷輸送と寿命の相関【Powered by NICT】

Correlation of doping concentration, charge transport of host, and lifetime of thermally activated delayed fluorescent devices

著者 (4件)： Song Wook (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, 2066, Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi, 440-746, Republic of Korea) ,  Lee Woochul (Advanced Materials R&D, LG Chem Research Park, 188, Munji-ro, Yuseong-gu, Daejeon, Republic of Korea) ,  Kim Kong Kyeom (Advanced Materials R&D, LG Chem Research Park, 188, Munji-ro, Yuseong-gu, Daejeon, Republic of Korea) ,  Lee Jun Yeob (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, 2066, Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi, 440-746, Republic of Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 37  ページ： 252-256  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱活性化delaid蛍光(TADF)素子の寿命のドーピング濃度依存性の起源は正孔輸送型とバイポーラホスト材料中にドープしたTADFエミッタを用いて検討した。正孔輸送型ホストベースTADFデバイスの寿命をTADFエミッタのドーピング濃度に従って増加したが,バイポーラホストに基づくTADF素子のそれは,TADFエミッタのドーピング濃度に従って減少した。寿命のドーピング濃度依存性は,発光層の再結合領域と相関した。正孔輸送型ホストと双極性ホストにおける低ドーピング濃度で高いドーピング濃度で広い再結合ゾーンは寿命のドーピング濃度依存性の主な原因として提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  再結合 ,  濃度依存性 ,  結合部位 ,  *蛍光
準シソーラス用語： 発光層 ,  正孔輸送 ,  *電荷輸送 ,  *熱活性化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 有機発光ダイオード ,  寿命 ,  Delaid蛍光 ,  ドーピング濃度

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱活性化 ,  光素子 ,  ドーピング ,  宿主 ,  電荷輸送 ,  寿命 ,  相関