文献

J-GLOBAL ID：201702211943341353   整理番号：17A0055454

低エネルギー消費ナノオプトエレクトロニクスのためのInGaNメソスコピック構造【Powered by NICT】

InGaN mesoscopic structures for low energy consumption nano-opto-electronics

著者 (8件)： Luth H. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Mikulics M. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Winden A. (Robert Bosch GmbH, Reutlingen D-72760, Germany) ,  Trellenkamp St. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Sofer Z. (Dept. of Inorganic Chemistry, Institute of Chemical Technology, Prague, Technicka ́ 5, 166 28 Prague 6, Czech Republic) ,  Marso M. (Faculte ́ des Sciences, de la Technologie et de la Communication, Universite ́ du Luxembourg, L-1359 Luxembourg) ,  Grutzmacher D. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Hardtdegen H. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 69-72  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メソスコピック構造に基づくナノLEDは将来のエネルギー省ナノオプトエレクトロニクスのためのと同様に高速で高度に安全な光通信のための重要な要素である。有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により蒸着されたInGaNメソスコピック構造に基づくナノLEDのエミッタを実施した垂直デバイスレイアウトを用いた最初の結果を提示した。このナノLEDはそれらの光学的および電気的性質を劣化させることなく垂直デバイスレイアウトに統合した。提示された結果は,通信波長領域で作動する低エネルギー消費ナノオプトエレクトロニクスのための新しいデバイス概念と統合化技術の大きな可能性を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 安全性 ,  通信 ,  光通信 ,  米国エネルギー省 ,  *MOCVD ,  高速度 ,  電気的性質
準シソーラス用語： 波長領域 ,  *InGaN ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： エネルギー消費 ,  オプトエレクトロニクス ,  InGaN