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J-GLOBAL ID:201702211958887424   整理番号:17A0398668

グラフェン有機素子における抵抗スイッチング:電場誘起光第2高調波発生と電荷変調分光法によるグラフェン有機素子の電荷輸送特性【Powered by NICT】

Resistive switching in graphene-organic device: Charge transport properties of graphene-organic device through electric field induced optical second harmonic generation and charge modulation spectroscopy
著者 (6件):
資料名:
巻: 112  ページ: 111-116  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンベース抵抗ランダムアクセスメモリ素子は,低コスト,大面積及び柔軟性炭素ベース技術のRRAMの低い動作電圧と電力,超高速書き込み/消去速度,優れた信頼性と貯蔵容量を組み合わせた有望な不揮発性メモリ技術である。しかし,高品質グラフェンの低コスト一段階合成は課題が残っている。本論文では,持続可能な炭素源(M.alternifolia油)から直接合成した高品質のグラフェンは,炭素ベースRRAMにおける活性層として電極とpentacene/C_60として使用した。I-V測定を用いた可逆的ある電圧で再現性のあるスイッチング(電流の急速な増加)を示した。電荷輸送と蓄積は電場誘起光第二高調波発生と電荷変調分光法を用いて可視化した。有機層へのグラフェン層からの正孔輸送は観測されたスイッチング挙動の一次原因であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 

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