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J-GLOBAL ID：201702213902740176   整理番号：17A0289666

プラズモンTiN用のプラズマ増強原子層堆積

Plasma-enhanced atomic layer deposition for plasmonic TiN

著者 (9件)： OTTO Lauren M. (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  OTTO Lauren M. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  HAMMACK Aaron T. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  ALONI Shaul (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  OGLETREE D.Frank (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  OLYNICK Deirdre L. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  DHUEY Scott (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  STADLER Bethanie J.H. (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  SCHWARTZBERG Adam M. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9919  ページ： 99190N.1-99190N.8  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,TiNの低温プラズマ増強原子層堆積(PE-ALD)を報告する。プラズマ合金と合成金属は安定性がかなり改善されるが,その成長は400°C以上の高温を必要とし,得られる膜において,特に技術的に重要な基板の厚さと方向性を制御することが困難である。コンフォーマルコーティングは,新型の三次元構造が生成でき,低温堆積が可能である。ここでは,TiN膜をエリプソメトリー,オージェ電子スペクトロスコピーで分析し,光学的,電気的,および化学的特性を明らかとした。堆積したTiNの前に堆積した酸化物から酸化物による汚染の影響を議論した。また,TiO膜は,塩素プラズマエッチプロセスで容易にパターンニングできることを実証し,光学測定と理論モデリングを用いて900nm周期プラズモングレーティングの性能を確認した。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *単原子層 ,  *プラズマCVD ,  *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *被覆 ,  低温 ,  Augerスペクトル ,  偏光解析法 ,  酸化物 ,  汚染 ,  格子形成 ,  *プラズモン ,  *金属性
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  *コンフォーマルコーティング ,  Auger電子スペクトル ,  エリプソメトリー

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズモン ,  TiN ,  プラズマ ,  増強 ,  原子層堆積