文献

J-GLOBAL ID：201702215420494595   整理番号：17A0574982

単結晶有機Mott-FETのドーピング駆動による金属-絶縁体転移における臨界挙動

Critical Behavior in Doping-Driven Metal-Insulator Transition on Single-Crystalline Organic Mott-FET

著者 (7件)： SATO Yoshiaki (RIKEN, Saitama, JPN) ,  KAWASUGI Yoshitaka (RIKEN, Saitama, JPN) ,  SUDA Masayuki (RIKEN, Saitama, JPN) ,  SUDA Masayuki (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  YAMAMOTO Hiroshi M. (RIKEN, Saitama, JPN) ,  YAMAMOTO Hiroshi M. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  KATO Reizo (RIKEN, Saitama, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 2  ページ： 708-714  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 典型的な二次元有機Mott絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂CuN(CN)₂Cl(κ-Cl)単結晶を用いる電場効果トランジスタ(FET)チャネルで観測されるドーピング駆動Mott転移の近傍におけるキャリア輸送特性を報告した。FETは静電的ドーピングの進行に伴い連続的な金属-絶縁体転移(MIT)を示した。この相転移は,一つはHall測定における,他は伝導度測定における,二段階のクロスオーバを含むように見えた。伝導度のクロスオーバはコンダクタンス量子e²/h近傍で生じ,従って「不良金属」挙動に伴うものではなく,半充填有機Mott絶縁体またはドープされた無機Mott絶縁体とは対照的である。伝導率の詳細なスケーリング解析から,上記のMIT近傍におけるキャリア輸送特性が,理論的に多くのタイプのMott転移に広くみられる特性である,高温Mott量子臨界クロスオーバにより記述できることを見出した。

シソーラス用語： 絶縁体 ,  塩化物 ,  単結晶 ,  *ドーピング ,  *Mott転移 ,  *金属-絶縁体転移 ,  Hall効果 ,  電気伝導率 ,  クロスオーバー効果 ,  スケーリング【計数】 ,  輸送現象 ,  臨界現象 ,  銅錯体 ,  オレフィン化合物 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： Mott絶縁体 ,  キャリア輸送 ,  クロスオーバー ,  二次元結晶 ,  有機結晶 ,  量子臨界現象

分類 (4件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y)

物質索引 (4件)： BEDT-TTF ,  オクチルトリエトキシシラン ,  ジシアノアミンアニオン ,  ヘニコサフルオロデシルトリエトキシシラン

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  FET ,  ドーピング ,  金属-絶縁体転移 ,  臨界挙動